Номер продукту виробника:
RN4909(T5L,F,T)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN4909(T5L,F,T)-DG
Опис:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Інвентаризація:
12889087
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN4909(T5L,F,T) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhms
Резистор - база емітера (R2)
22kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
200MHz
Потужність - Макс
200mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
US6
Базовий номер товару
RN4909
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN4909(T5LFT)DKR
RN4909(T5LFT)CT
RN4909(T5LFT)TR
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
SMUN5237DW1T1G
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
2978
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
SMUN5237DW1T1G-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.03
Тип заміни
Upgrade
Номер частини
PUMD17,115
ВИРОБНИК
NXP USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
298700
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PUMD17,115-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.02
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN1971TE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2711JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2907(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
