Номер продукту виробника:
RN2711JE(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2711JE(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Інвентаризація:
3900 Штук Новий Оригінал В наявності
12889090
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2711JE(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
200MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-553
Пакет пристроїв від постачальника
ESV
Базовий номер товару
RN2711
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN2711JE(TE85LF)DKR
RN2711JE(TE85LF)CT
RN2711JE(TE85LF)TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2907(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1611(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER