Номер продукту виробника:
RN1611(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1611(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Інвентаризація:
325 Штук Новий Оригінал В наявності
12889094
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1611(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Пакет пристроїв від постачальника
SM6
Базовий номер товару
RN1611
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN1611(TE85LF)TR
RN1611(TE85LF)CT
RN1611(TE85LF)DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
QSH29TR
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3000
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
QSH29TR-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.26
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6