Номер продукту виробника:
FCH070N60E
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FCH070N60E-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Докладний опис:
N-Channel 600 V 52A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3
Інвентаризація:
473 Штук Новий Оригінал В наявності
12851346
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FCH070N60E Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
SuperFET® II
Статус товару
Not For New Designs
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
52A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
70mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4925 pF @ 380 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
481W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-247-3
Упаковка / Чохол
TO-247-3
Базовий номер товару
FCH070
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Інші назви
FCH070N60E-DG
FCH070N60EOS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IXFX64N60P
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
911
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXFX64N60P-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
13.25
Тип заміни
Similar
Номер частини
IXFK80N60P3
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
724
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXFK80N60P3-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
11.60
Тип заміни
Similar
Номер частини
R6049YNZ4C13
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
600
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
R6049YNZ4C13-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
3.24
Тип заміни
Similar
Номер частини
IXFX80N60P3
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXFX80N60P3-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
11.27
Тип заміни
Similar
Номер частини
TK35N65W,S1F
ВИРОБНИК
Toshiba Semiconductor and Storage
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
15
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
TK35N65W,S1F-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
3.78
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDZ201N
MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
IRLM210ATF
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
