Номер продукту виробника:
FDD770N15A
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD770N15A-DG
Опис:
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
5348 Штук Новий Оригінал В наявності
12851359
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD770N15A Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
150 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
18A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
77mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
765 pF @ 75 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
56.8W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD770
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDD770N15ADKR
FDD770N15ACT
2156-FDD770N15ATR
FDD770N15A-DG
FDD770N15ATR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
MCH3377-TL-E
MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3
FDW6923
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8TSSOP
FQP8N80C
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3