Номер продукту виробника:
IXFX64N60P
Product Overview
Виробник:
IXYS
Номер частини:
IXFX64N60P-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Докладний опис:
N-Channel 600 V 64A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Інвентаризація:
911 Штук Новий Оригінал В наявності
12819490
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
ypMN
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IXFX64N60P Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Littelfuse
Упаковка
Tube
Ряд
HiPerFET™, Polar
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
64A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
96mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 8mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
12000 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1040W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
PLUS247™-3
Упаковка / Чохол
TO-247-3 Variant
Базовий номер товару
IXFX64
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IXTQ74N15T
MOSFET N-CH 150V 74A TO3P
IXFT24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO268
IXTK80N25
MOSFET N-CH 250V 80A TO264
