Номер продукту виробника:
SSM3K09FU,LF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
SSM3K09FU,LF-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Докладний опис:
N-Channel 30 V 400mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Інвентаризація:
72971 Штук Новий Оригінал В наявності
12890212
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
6bBE
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SSM3K09FU,LF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
π-MOSVI
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
3.3V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
700mOhm @ 200MA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
1.8V @ 100µA
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
20 pF @ 5 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
150mW (Ta)
Робоча температура
150°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
USM
Упаковка / Чохол
SC-70, SOT-323
Базовий номер товару
SSM3K09
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
SSM3K09FULFCT
SSM3K09FU,LF(T
SSM3K09FULFDKR
SSM3K09FU,LF(B
SSM3K09FULFTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
SSM3J143TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
SSM3K318R,LF
MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
