Номер продукту виробника:
TK4R3E06PL,S1X
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TK4R3E06PL,S1X-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Докладний опис:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Інвентаризація:
177 Штук Новий Оригінал В наявності
12890243
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TK4R3E06PL,S1X Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
U-MOSIX-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
80A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 500µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
87W (Tc)
Робоча температура
175°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
TK4R3E06
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
TK4R3E06PLS1X
TK4R3E06PL,S1X(S
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
