Номер продукту виробника:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Опис:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Докладний опис:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Інвентаризація:
14411 Штук Новий Оригінал В наявності
12996440
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SSM3J66MFV,L3XHF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSVI
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.2V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+6V, -8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
100 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
150mW (Ta)
Робоча температура
150°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
VESM
Упаковка / Чохол
SOT-723
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Інші назви
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SI2102A-TP
N-CHANNEL MOSFET
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
