Номер продукту виробника:
R8009KNXC7G
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
R8009KNXC7G-DG
Опис:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Докладний опис:
N-Channel 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) Through Hole TO-220FM
Інвентаризація:
1871 Штук Новий Оригінал В наявності
12996459
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
R8009KNXC7G Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
800 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 5mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
900 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
59W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220FM
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
R8009
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Інші назви
846-R8009KNXC7GDKR
846-R8009KNXC7GTR
846-R8009KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8009KNXC7GCT
846-R8009KNXC7GDKR-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1
IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
SCH1331-TL-W
POWER MOSFET
ECH8607-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
