Номер продукту виробника:
RN2903FE(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2903FE(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Інвентаризація:
3450 Штук Новий Оригінал В наявності
12890748
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2903FE(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база емітера (R2)
22kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
200MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
ES6
Базовий номер товару
RN2903
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN2903FE(TE85LF)TR
RN2903FE(TE85LF)CT
RN2903FE(TE85LF)DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
DDA124EH-7
ВИРОБНИК
Diodes Incorporated
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
5994
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
DDA124EH-7-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.10
Тип заміни
Direct
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DDA124EH-7
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
RN2502(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN49A1(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
