Номер продукту виробника:
RN2502(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2502(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Інвентаризація:
1430 Штук Новий Оригінал В наявності
12890760
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2502(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
10kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
200MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74A, SOT-753
Пакет пристроїв від постачальника
SMV
Базовий номер товару
RN2502
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN2502(TE85LF)CT
RN2502(TE85LF)TR
RN2502(TE85LF)DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN49A1(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1602(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN1906,LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6