Номер продукту виробника:
RN1963(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1963(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Інвентаризація:
3000 Штук Новий Оригінал В наявності
12891065
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1963(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база емітера (R2)
22kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
200mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
US6
Базовий номер товару
RN1963
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN1963(TE85LF)TR
RN1963(TE85LF)CT
RN1963(TE85LF)DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN4906,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1902FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN2971FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6