RN1902FE,LF(CT
Номер продукту виробника:

RN1902FE,LF(CT

Product Overview

Виробник:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер частини:

RN1902FE,LF(CT-DG

Опис:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Інвентаризація:

22 Штук Новий Оригінал В наявності
12891079
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

RN1902FE,LF(CT Технічні специфікації

Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
1kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
ES6
Базовий номер товару
RN1902

Технічний опис та документи

Додаткова інформація

Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN1902FE(T5L,F,T)
RN1902FE(T5LFT)TR
RN1902FELF(CTCT
RN1902FELF(CTTR
RN1902FE(T5LFT)TR-DG
RN1902FE(T5LFT)CT
RN1902FE(T5LFT)CT-DG
RN1902FE,LF(CB

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095

Альтернативні моделі

Номер частини
EMH11T2R
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
27909
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
EMH11T2R-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.08
Тип заміни
Similar
Номер частини
DDC114YH-7
ВИРОБНИК
Diodes Incorporated
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
5232
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
DDC114YH-7-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.06
Тип заміни
Similar
Номер частини
PEMD3,315
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
8000
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PEMD3,315-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.07
Тип заміни
Similar
Номер частини
NSVBC114EDXV6T1G
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3496
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
NSVBC114EDXV6T1G-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.05
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2971FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4990FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2507(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4983,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6