Номер продукту виробника:
HN1C01FU-Y,LF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
HN1C01FU-Y,LF-DG
Опис:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Інвентаризація:
24787 Штук Новий Оригінал В наявності
12889131
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
HS1s
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
HN1C01FU-Y,LF Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
150mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
120 @ 2mA, 6V
Потужність - Макс
200mW
Частота - перехідний
80MHz
Робоча температура
125°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
US6
Базовий номер товару
HN1C01
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
HN1C01FU-YLFDKR
HN1C01FU-Y,LF(B
HN1C01FU-YLFCT
HN1C01FU-YLFTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
