Номер продукту виробника:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
Опис:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Інвентаризація:
12889166
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
HN3C51F-GR(TE85L,F Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
120V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
200 @ 2mA, 6V
Потужність - Макс
300mW
Частота - перехідний
100MHz
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Пакет пристроїв від постачальника
SM6
Базовий номер товару
HN3C51
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
