Номер продукту виробника:
R5009ANX
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
R5009ANX-DG
Опис:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
Докладний опис:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Інвентаризація:
12906455
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
BbPX
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
R5009ANX Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
Ряд
-
Статус товару
Not For New Designs
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
500 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
720mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
650 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
50W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220FM
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
R5009
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
500
Інші назви
846-R5009ANX
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
R5009ANX
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
R5009ANX-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
1.23
Тип заміни
Parametric Equivalent
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
ZXMN2A02X8TA
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
IXTH54N30T
MOSFET N-CH 300V 54A TO247
IRFBC40SPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
