Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
NSBC114TDXV6T5
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NSBC114TDXV6T5-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12856388
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
C
u
g
W
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NSBC114TDXV6T5 Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
-
Потужність - Макс
500mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-563
Базовий номер товару
NSBC114
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
NSBC114TDXV6T5
HTML Технічний лист
NSBC114TDXV6T5-DG
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Інші назви
2156-NSBC114TDXV6T5-ONTR
NSBC114TDXV6T5OS
ONSONSNSBC114TDXV6T5
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
PEMD3,115
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
4000
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PEMD3,115-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.07
Тип заміни
Similar
Номер частини
RN4982FE,LF(CT
ВИРОБНИК
Toshiba Semiconductor and Storage
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3035
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RN4982FE,LF(CT-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.02
Тип заміни
Similar
Номер частини
RN1902FE,LF(CT
ВИРОБНИК
Toshiba Semiconductor and Storage
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
22
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RN1902FE,LF(CT-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.02
Тип заміни
Similar
Номер частини
PEMH11,115
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
7980
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PEMH11,115-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.07
Тип заміни
Similar
Номер частини
EMH11T2R
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
27909
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
EMH11T2R-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.08
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NSBC143ZPDXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBA124EDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSVMUN5312DW1T2G
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
NSVBA143ZDXV6T1G
TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564