Номер продукту виробника:
FDD7N25LZTM
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD7N25LZTM-DG
Опис:
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 250 V 6.2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
9394 Штук Новий Оригінал В наявності
12848445
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
bzcs
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD7N25LZTM Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
UniFET™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
550mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
635 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
56W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD7N25
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDD7N25LZTMTR
FDD7N25LZTMDKR
FDD7N25LZTMCT
FDD7N25LZTM-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDN371N
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
