Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
FDD7N25LZTM
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD7N25LZTM-DG
Опис:
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 250 V 6.2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
9394 Штук Новий Оригінал В наявності
12848445
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
b
z
c
s
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD7N25LZTM Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
UniFET™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
550mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
635 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
56W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD7N25
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
FDD7N25LZTM
HTML Технічний лист
FDD7N25LZTM-DG
Таблиці даних
FDD7N25LZ
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDD7N25LZTMTR
FDD7N25LZTMDKR
FDD7N25LZTMCT
FDD7N25LZTM-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDN371N
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
FDMS7660
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN