Номер продукту виробника:
FDMS7660
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDMS7660-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
Докладний опис:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Інвентаризація:
887 Штук Новий Оригінал В наявності
12848457
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDMS7660 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
25A (Ta), 42A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
2.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
5565 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чохол
8-PowerTDFN
Базовий номер товару
FDMS76
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDMS7660DKR
FDMS7660CT
1990-FDMS7660DKR
1990-FDMS7660CT
FDMS7660TR
1990-FDMS7660TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NVMFS6B14NLT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
FDB8445
MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
FDS5351
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC