Номер продукту виробника:
FDB86135
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDB86135-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Докладний опис:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 2.4W (Ta), 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Інвентаризація:
1600 Штук Новий Оригінал В наявності
12850037
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDB86135 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
75A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
7295 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.4W (Ta), 227W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
FDB861
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
800
Інші назви
FDB86135TR
FDB86135-DG
FDB86135DKR
FDB86135CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
AO4454
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC
FDD6672A
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
FQA10N60C
MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
