Номер продукту виробника:
FDD6672A
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD6672A-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
Докладний опис:
N-Channel 30 V 65A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
12850041
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD6672A Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
65A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
8mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
5070 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.2W (Ta), 70W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD667
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQA10N60C
MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
FQI27N25TU
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
FCPF190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
