ZVP4525E6TC
Номер продукту виробника:

ZVP4525E6TC

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

ZVP4525E6TC-DG

Опис:

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
Докладний опис:
P-Channel 250 V 197mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Інвентаризація:

12906264
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
IPux
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

ZVP4525E6TC Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
197mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
3.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
3.45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±40V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
73 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.1W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-6
Упаковка / Чохол
SOT-23-6

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
10,000

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095

Альтернативні моделі

Номер частини
ZVP4525E6TA
ВИРОБНИК
Diodes Incorporated
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
13576
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
ZVP4525E6TA-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.28
Тип заміни
Parametric Equivalent
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
vishay-siliconix

IRLZ44STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR010TRR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

ZVP0545GTC

MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223

vishay-siliconix

IRL520STRR

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK