Номер продукту виробника:
ZVP4525E6TA
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
ZVP4525E6TA-DG
Опис:
MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
Докладний опис:
P-Channel 250 V 197mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Інвентаризація:
13576 Штук Новий Оригінал В наявності
12902379
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
ZVP4525E6TA Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
197mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
3.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
3.45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±40V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
73 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.1W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-6
Упаковка / Чохол
SOT-23-6
Базовий номер товару
ZVP4525
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
ZVP4525E6CT
31-ZVP4525E6TACT
ZVP4525E6TR-DG
ZVP4525E6DKRINACTIVE
ZVP4525E6CT-DG
ZVP4525E6DKR-DG
ZVP4525E6TR-NDR
ZVP4525E6DKR
ZVP4525E6CT-NDR
ZVP4525E6TR
31-ZVP4525E6TATR
31-ZVP4525E6TADKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
R6008FNX
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
ZXMN6A25K
MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
ZXMN4A06GTA
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
