Номер продукту виробника:
R6008FNX
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
R6008FNX-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Докладний опис:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Інвентаризація:
12902380
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
R6008FNX Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
8A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
950mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
580 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
50W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220FM
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
R6008
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Документи про надійність
Додаткова інформація
Стандартний пакет
500
Інші назви
846-R6008FNX
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
ZXMN6A25K
MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
ZXMN4A06GTA
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26