Номер продукту виробника:
IRFR1N60APBF
Product Overview
Виробник:
Vishay Siliconix
Номер частини:
IRFR1N60APBF-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount DPAK
Інвентаризація:
3041 Штук Новий Оригінал В наявності
13054825
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IRFR1N60APBF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Vishay
Упаковка
Tube
Ряд
-
Упаковки
Tube
Статус частини
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
229 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
36W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
DPAK
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
IRFR1
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
75
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IRFP450LCPBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
SI4825DY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
SI7392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
