Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
SQJA04EP-T1_GE3
Product Overview
Виробник:
Vishay Siliconix
Номер частини:
SQJA04EP-T1_GE3-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Докладний опис:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Інвентаризація:
5984 Штук Новий Оригінал В наявності
12965808
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
H
5
f
5
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SQJA04EP-T1_GE3 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
TrenchFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
75A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
6.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
68W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Кваліфікації
AEC-Q101
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чохол
PowerPAK® SO-8
Базовий номер товару
SQJA04
Технічний опис та документи
Таблиці даних
SQJA04EP
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
SQJA04EP-T1_GE3DKR
SQJA04EP-T1_GE3CT
SQJA04EP-T1_GE3TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP