Номер продукту виробника:
SQJA04EP-T1_GE3
Product Overview
Виробник:
Vishay Siliconix
Номер частини:
SQJA04EP-T1_GE3-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Докладний опис:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Інвентаризація:
5984 Штук Новий Оригінал В наявності
12965808
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
H5f5
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SQJA04EP-T1_GE3 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
TrenchFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
75A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
6.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
68W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Кваліфікації
AEC-Q101
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чохол
PowerPAK® SO-8
Базовий номер товару
SQJA04
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
SQJA04EP-T1_GE3DKR
SQJA04EP-T1_GE3CT
SQJA04EP-T1_GE3TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8