Номер продукту виробника:
TW060N120C,S1F
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TW060N120C,S1F-DG
Опис:
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Докладний опис:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247
Інвентаризація:
50 Штук Новий Оригінал В наявності
12987451
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
tOix
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TW060N120C,S1F Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
SiCFET (Silicon Carbide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
1200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
36A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
18V
Rds On (Макс) @ id, vgs
78mOhm @ 18A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 4.2mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
46 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1530 pF @ 800 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
170W (Tc)
Робоча температура
175°C
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-247
Упаковка / Чохол
TO-247-3
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Інші назви
264-TW060N120CS1F
TW060N120C,S1F(S
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
BSS138WQ-13-F
BSS FAMILY SOT323 T&R 10K
SCT4036KRHRC15
1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
PMX800ENEZ
PMX800ENEZ
