Номер продукту виробника:
TPN4R806PL,L1Q
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TPN4R806PL,L1Q-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Докладний опис:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Інвентаризація:
13199 Штук Новий Оригінал В наявності
12920893
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
FTBS
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TPN4R806PL,L1Q Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSIX-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
72A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
3.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 300µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2770 pF @ 30 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Робоча температура
175°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чохол
8-PowerVDFN
Базовий номер товару
TPN4R806
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,000
Інші назви
264-TPN4R806PLL1QTR
264-TPN4R806PLL1QCT
264-TPN4R806PLL1QDKR
TPN4R806PL,L1Q(M
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
TK110P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK3R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR