Номер продукту виробника:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Опис:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Докладний опис:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Інвентаризація:
34748 Штук Новий Оригінал В наявності
12891567
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TPN1110ENH,L1Q Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 200µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
600 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Упаковка / Чохол
8-PowerVDFN
Базовий номер товару
TPN1110
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,000
Інші назви
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
