Номер продукту виробника:
TPH4R008QM,LQ
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TPH4R008QM,LQ-DG
Опис:
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Докладний опис:
N-Channel 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Інвентаризація:
4878 Штук Новий Оригінал В наявності
12988710
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
jBZ7
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TPH4R008QM,LQ Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSIX-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
80 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
86A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
4mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 600µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Робоча температура
175°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOP Advance (5x5.75)
Упаковка / Чохол
8-PowerTDFN
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,000
Інші назви
264-TPH4R008QM,LQTR
264-TPH4R008QM,LQCT
264-TPH4R008QMLQTR-DG
264-TPH4R008QM,LQDKR
264-TPH4R008QMLQTR
264-TPH4R008QM,LQTR-DG
TPH4R008QM,LQ(M1
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
