Номер продукту виробника:
TPCF8102(TE85L,F,M
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TPCF8102(TE85L,F,M-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Докладний опис:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Інвентаризація:
12891019
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
1ovJ
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TPCF8102(TE85L,F,M Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
U-MOSIII
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.8V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.2V @ 200µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1550 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
700mW (Ta)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
VS-8 (2.9x1.5)
Упаковка / Чохол
8-SMD, Flat Lead
Базовий номер товару
TPCF8102
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
TK12J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
TK14C65W5,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
