TPCA8109(TE12L1,V
Номер продукту виробника:

TPCA8109(TE12L1,V

Product Overview

Виробник:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер частини:

TPCA8109(TE12L1,V-DG

Опис:

MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
Докладний опис:
P-Channel 30 V 24A (Ta) 1.6W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Інвентаризація:

12943192
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
MZ1D
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

TPCA8109(TE12L1,V Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
U-MOSVI
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
24A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 500µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -25V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2400 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.6W (Ta), 30W (Tc)
Робоча температура
150°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOP Advance (5x5)
Упаковка / Чохол
8-PowerVDFN
Базовий номер товару
TPCA8109

Додаткова інформація

Стандартний пакет
5,000
Інші назви
264-TPCA8109(TE12L1VTR

Екологічна та експортна класифікація

Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
infineon-technologies

BSZ0911LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

infineon-technologies

BSZ0702LSATMA1

MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON

renesas-electronics-america

UPA2821T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON

vishay-siliconix

IRF740L

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB