Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
TKR74F04PB,LXGQ
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TKR74F04PB,LXGQ-DG
Опис:
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
Докладний опис:
N-Channel 40 V 250A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Інвентаризація:
2284 Штук Новий Оригінал В наявності
12976629
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TKR74F04PB,LXGQ Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSIX-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
40 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
250A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
0.74mOhm @ 125A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
14200 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
375W (Tc)
Робоча температура
175°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220SM(W)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
TKR74F04
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
TKR74F04PB,LXGQ
HTML Технічний лист
TKR74F04PB,LXGQ-DG
Таблиці даних
TKR74F04PB
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Інші назви
TKR74F04PB,LXGQ(O
264-TKR74F04PBLXGQCT
264-TKR74F04PBLXGQTR
264-TKR74F04PBLXGQDKR
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
2N7002W
MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5
HAT1044M-EL-E
HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE
2SK3483-Z-AZ
2SK3483-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN