Номер продукту виробника:
TK46E08N1,S1X
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TK46E08N1,S1X-DG
Опис:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Докладний опис:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Інвентаризація:
23 Штук Новий Оригінал В наявності
12890796
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
htJr
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TK46E08N1,S1X Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
80 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
80A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 500µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2500 pF @ 40 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
103W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
TK46E08
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
TK46E08N1S1X
TK46E08N1,S1X(S
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
STP100N10F7
ВИРОБНИК
STMicroelectronics
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
88
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
STP100N10F7-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
1.11
Тип заміни
Direct
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
TPH4R003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
