Номер продукту виробника:
TK42A12N1,S4X
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TK42A12N1,S4X-DG
Опис:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Докладний опис:
N-Channel 120 V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Інвентаризація:
250 Штук Новий Оригінал В наявності
12891201
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
libM
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TK42A12N1,S4X Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
120 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
42A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
9.4mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
3100 pF @ 60 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
35W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220SIS
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
TK42A12
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
TK42A12N1S4X
TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-DG
Q10136417
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
