Номер продукту виробника:
TK34A10N1,S4X
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TK34A10N1,S4X-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
Докладний опис:
N-Channel 100 V 34A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Інвентаризація:
12949686
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
blm3
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TK34A10N1,S4X Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
34A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 500µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2600 pF @ 50 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
35W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220SIS
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
TK34A10
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
TK34A10N1S4X
TK34A10N1,S4X-DG
TK34A10N1,S4X(S
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMJ70H1D3SH3
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
