Номер продукту виробника:
TK25S06N1L,LXHQ
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TK25S06N1L,LXHQ-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Surface Mount DPAK+
Інвентаризація:
3605 Штук Новий Оригінал В наявності
12938295
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
xgAD
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TK25S06N1L,LXHQ Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
25A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 100µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
855 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
57W (Tc)
Робоча температура
175°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
DPAK+
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
TK25S06
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,000
Інші назви
264-TK25S06N1LLXHQDKR
264-TK25S06N1LLXHQTR
TK25S06N1L,LXHQ(O
264-TK25S06N1LLXHQCT
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SSI4N60BTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
RJK6026DPP-90#T2F
N-CHANNEL POWER MOSFET
SFU9034TU
P-CHANNEL POWER MOSFET
