Номер продукту виробника:
TK12A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
TK12A60D(STA4,Q,M)-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Докладний опис:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Інвентаризація:
54 Штук Новий Оригінал В наявності
12889746
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
TK12A60D(STA4,Q,M) Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
π-MOSVII
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
12A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
45W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220SIS
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
TK12A60
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SSM6K504NU,LF
MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
TK31J60W5,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
TK25E60X5,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
