TK12A60D(STA4,Q,M)
Номер продукту виробника:

TK12A60D(STA4,Q,M)

Product Overview

Виробник:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер частини:

TK12A60D(STA4,Q,M)-DG

Опис:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Докладний опис:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Інвентаризація:

54 Штук Новий Оригінал В наявності
12889746
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

TK12A60D(STA4,Q,M) Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Ряд
π-MOSVII
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
12A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
45W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220SIS
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
TK12A60

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
50
Інші назви
TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K504NU,LF

MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TK25E60X5,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J215FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6