Номер продукту виробника:
SSM6N815R,LF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
SSM6N815R,LF-DG
Опис:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Докладний опис:
Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Інвентаризація:
1051 Штук Новий Оригінал В наявності
12889329
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
Vju5
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SSM6N815R,LF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Польові транзистори (FET), масиви MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус товару
Active
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Конфігурації
2 N-Channel (Dual)
Функція польового транзистора
Logic Level Gate, 4V Drive
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Макс) @ id, vgs
103mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 100µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
3.1nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
290pF @ 15V
Потужність - Макс
1.8W (Ta)
Робоча температура
150°C
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-SMD, Flat Leads
Пакет пристроїв від постачальника
6-TSOP-F
Базовий номер товару
SSM6N815
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
SSM6N815RLFTR
SSM6N815RLFCT
SSM6N815R,LF(B
SSM6N815R,LF(T
SSM6N815RLF
SSM6N815RLF(B
SSM6N815RLFDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
SSM6N357R,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
SSM6N35AFE,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6