Номер продукту виробника:
SSM6K407TU,LF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
SSM6K407TU,LF-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 2A UF6
Докладний опис:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Інвентаризація:
2977 Штук Новий Оригінал В наявності
12891624
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
T92u
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SSM6K407TU,LF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
2A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
150 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
500mW (Ta)
Робоча температура
150°C
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
UF6
Упаковка / Чохол
6-SMD, Flat Leads
Базовий номер товару
SSM6K407
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
SSM6K407TULFTR
SSM6K407TULFDKR
SSM6K407TU,LF(B
SSM6K407TULFCT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMN2400UFDQ-13
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
DMP1005UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
TK8Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
