Номер продукту виробника:
SSM3J56MFV,L3F
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
SSM3J56MFV,L3F-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Докладний опис:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Інвентаризація:
388333 Штук Новий Оригінал В наявності
12889271
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
kWWw
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
SSM3J56MFV,L3F Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
U-MOSVI
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
800mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.2V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
-
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
100 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
150mW (Ta)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
VESM
Упаковка / Чохол
SOT-723
Базовий номер товару
SSM3J56
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Інші назви
SSM3J56MFVL3F(TTR
SSM3J56MFVL3F(TDKR
SSM3J56MFVL3F(TTR-DG
SSM3J56MFVL3FT
SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3FCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-DG
SSM3J56MFVL3F(TDKR-DG
SSM3J56MFVL3FDKR
SSM3J56MFVL3FTR
SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFV,L3F(B
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SSM3J114TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
