Номер продукту виробника:
RN4601(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN4601(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Інвентаризація:
467 Штук Новий Оригінал В наявності
12891482
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN4601(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база емітера (R2)
4.7kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Пакет пристроїв від постачальника
SM6
Базовий номер товару
RN4601
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN4601(TE85LF)TR
RN4601(TE85LF)DKR
RN4601(TE85LF)CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2503(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN2709JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2510(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV