Номер продукту виробника:
RN2707JE(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2707JE(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Інвентаризація:
1645 Штук Новий Оригінал В наявності
12889354
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2707JE(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
200MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-553
Пакет пристроїв від постачальника
ESV
Базовий номер товару
RN2707
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN2707JE(TE85LF)DKR
RN2707JE(TE85LF)TR
RN2707JE(TE85LF)CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN4988(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1702JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1971FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6