Номер продукту виробника:
RN2511(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2511(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
Інвентаризація:
12891011
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2511(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
200MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74A, SOT-753
Пакет пристроїв від постачальника
SMV
Базовий номер товару
RN2511
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN2511(TE85LF)CT
RN2511(TE85LF)DKR
RN2511(TE85LF)TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2906(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2910(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
