Номер продукту виробника:
RN2315TE85LF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2315TE85LF-DG
Опис:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
Інвентаризація:
12820 Штук Новий Оригінал В наявності
12890825
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
g0W8
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2315TE85LF Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
10 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
200 MHz
Потужність - Макс
100 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-70, SOT-323
Пакет пристроїв від постачальника
SC-70
Базовий номер товару
RN2315
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN2315TE85LFDKR
RN2315TE85LFTR
RN2315(TE85L,F)
RN2315TE85LFCT
RN2315TE85LF-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN1116(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2108,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
TDTC114E,LM
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3