Номер продукту виробника:
RN2114MFV,L3F
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2114MFV,L3F-DG
Опис:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Інвентаризація:
8000 Штук Новий Оригінал В наявності
12889256
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2114MFV,L3F Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
10 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Потужність - Макс
150 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-723
Пакет пристроїв від постачальника
VESM
Базовий номер товару
RN2114
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Інші назви
RN2114MFVL3F-DG
264-RN2114MFV,L3FTR
264-RN2114MFV,L3FCT
264-RN2114MFV,L3FDKR
RN2114MFVL3F
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN1105ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN1101,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1405,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI