Номер продукту виробника:
RN2107MFV,L3F(CT
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2107MFV,L3F(CT-DG
Опис:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Інвентаризація:
15980 Штук Новий Оригінал В наявності
13275857
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
32Bs
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2107MFV,L3F(CT Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Потужність - Макс
150 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-723
Пакет пристроїв від постачальника
VESM
Базовий номер товару
RN2107
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Інші назви
264-RN2107MFVL3F(DKR
264-RN2107MFVL3F(CT
RN2107MFV,L3F(CB
264-RN2107MFVL3F(TR
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2119MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2424(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
RN1113,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
