Номер продукту виробника:
RN2107ACT(TPL3)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN2107ACT(TPL3)-DG
Опис:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Інвентаризація:
12890717
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
f8yc
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN2107ACT(TPL3) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
80 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Потужність - Макс
100 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-101, SOT-883
Пакет пристроїв від постачальника
CST3
Базовий номер товару
RN2107
Додаткова інформація
Стандартний пакет
10,000
Інші назви
RN2107ACT(TPL3)DKR
RN2107ACT(TPL3)TR
RN2107ACT(TPL3)CT
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
PDTA114TMB,315
ВИРОБНИК
NXP Semiconductors
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
668175
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PDTA114TMB,315-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.03
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2402,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2104MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1417,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI