Номер продукту виробника:
RN1966FE(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1966FE(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Інвентаризація:
4000 Штук Новий Оригінал В наявності
12890239
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1966FE(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
ES6
Базовий номер товару
RN1966
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN1966FE(TE85LF)DKR
RN1966FETE85LF
RN1966FE(TE85LF)TR
RN1966FE(TE85LF)CT
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
RN1106MFV,L3F
ВИРОБНИК
Toshiba Semiconductor and Storage
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
53233
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RN1106MFV,L3F-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.01
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN1705,LF
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
RN4606(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
DCX123JU-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
